PROFESSOR

  • 권기원(Kee-Won Kwon )

    email : keewkwon@skku.edu

EDUCATION

  • 19/1995 – 1/2001  STANFORD UNIVERTY, Stanford, CA 
    Ph.D. degree in Materials Science and Engineering (Advisor: Robert Sinclair)
    Thesis title: Reactions and microstructural behavior at the Cu/Ta interfaces.
  • 2 
  • 34/1998 – 1/2000 STANFORD UNIVERSITY, Stanford, CA. 
    Master of Science degree in Electrical Engineering (Advisor: S. Simon Wong)
    - Analog/mixed circuit design, 
    - Device physics and silicon technology.
  • 4 
  • 53/88 – 2/1990 KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, Seoul, Korea
    Master of Science degree in Materials Science and Engineering (Advisor: Jai-Young Lee)
    – Hydrogen storage metals and their applications to the heat pump.
  • 6 
  • 73/1984 – 2/1988 SEOUL NATIONAL UNIVERSITY, Seoul, Korea
    Bachelor of Science degree in Metallurgical Engineering
    - Physical metallurgy and solid state physics.

EXPERIENCE

  • 13/2007 – present Sungkyunkwan University, Suwon, Korea
    Professor, College of Information and Communication Engineering 
    – High Speed Serial Interface: USB, HDMI, LVDS, Inductive Link
    – Energy Harvesting System, PMIC/BMIC
    – Design for Testability (DFT) of 3-D IC.
    – Standards and Specification.
    – Cross-Point Memory Architecture with Resistive Memory Cells
    – Non-Volatile Memory IP.
  • 13/2006 – 2/2007 Hanyang University, Ansan, KOREA.
    Assistant Professor, Division of Materials and Chemical Engineering 
    – Electronic Materials and Devices Lab.
  • 11/2001 – 3/2006 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD, Hwaseong, KOREA.
    Principal Design Engineer in Advanced Technology Development Team (2/2005 – 2/2006)
    – In charge of low power technology (Transistor, circuit & logic level approaches)
    Principal Design Engineer in DRAM Design Team (1/2001 – 2/2005)
    – Super High Performance DRAM design (tRC of 10ns, 10Gbps Data Rate)
    – Advanced DRAM design including Direct Rambus DRAM and XDR DRAM.
    – New memory development (PRAM, Scalable Gain-Cell Memory, Multimedia DRAM)
    – Core circuit design for DRAM.
  • 16/2000 – 1/2001 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, Sunnyvale, CA
    Associate Member of Technical Staff 
    – 16-bit D/A converter design.
    – Digital potentiometer design
  • 16/1999 – 9/1999 INTEL Corporation, Portland, OR, 
    Summer Intern
    – Diffusion and drift of copper in intermetallic dielectrics.
    – Life time test (Bias Temperature Stressing) of intermetallic dielectrics.
    – Copper/tantalum interaction at high temperature.
  • 12/1990 – 7/1995 SAMSUNG ELECTRONICS CO., Semiconductor R&D Center, Kiheung, Korea
    Staff Engineer
    – In charge of developing thin capacitor dielectric films (SiO2, SiN, Ta2O5 and [BaSr]TiO3)
    – Process modules to fabricate three dimensional capacitor structures for DRAM applications.
    – Maintenance of chemical vapor deposition systems, furnaces, and sputters.
    Leading member 
    – Joint development project with LAM RESEARCH CO., Fremont, CA (5/1991 – 11/1992)
    – Development of CVD system for Ta2O5 thin film.
    Acting member 
    – Joint 256Mb DRAM development project with NEC, Tokyo, Japan (1/1994 – 6/1995).
    – Members: D. Chin, C.-G. Hwang, M.-Y. Lee, S.-T. Ahn, S.-W. Kim, E.S. Kim, & myself